SCALE-iDriver IC

IGBT と MOSFET と SiC MOSFET の両方を駆動するために最適化されたゲート ドライバ IC の SCALE-iDriver ファミリーは、Power Integrations の先進的な FluxLink 磁気誘導双方向通信技術を 1200 V 及び 1700 V ドライバ アプリケーションに採用した最初の製品です。

• FluxLink 技術を使用すると、寿命の短いオプト電子部品及びそれに関連する補償回路が不要になるため、システムの複雑さを軽減しながら動作上の安定性を向上できます。
• 高度なシステムの安全性と保護機能によって、一般的な中電圧及び高電圧のアプリケーションで製品の信頼性がさらに高まります。
• 革新的な eSOP パッケージは、沿面距離が 9.5 mm、比較トラッキング指数 (CTI) が 600 という特徴をもち、十分な動作電圧マージン及びシステムの高信頼性を保証します。
• シリコン カーバイド (SiC) MOSFET ゲート ドライバ ICは、外部ブースト ステージを必要とせず、最高のピーク出力ゲート電流を提供する高効率でシングルチャネルの SiC MOSFET ゲート ドライバです。現在の SiC MOSFET に必要とされるさまざまなゲートドライブ電圧をサポートするように構成できます。
• AEC-Q100 認定自動車用の SCALE-iDriver IC ジャンクション温度 125°C で最大 8 A のドライブ電流を出力することができ、ブースター回路がなくても、600、650、750、1200V IGBT 及び SiCを使用した最大数百 kW の インバータ設計をサポートします。