SCALE-iDriver IC

SCALE-iDriver™系列閘極驅動器IC可同時為IGBT、MOSFET和SiC MOSEFT提供驅動，也是首款將Power Integrations首創的FluxLink™磁感雙向通信技術引入1200 V和1700 V驅動器應用的產品。

FluxLink技術可省去壽命相對較短的光電器件和相關補償電路，從而增強系統運行的可靠性，同時降低系統的複雜度
先進的系統安全和保護功能（常用於中壓和高壓應用）可增強產品可靠性
創新的eSOP封裝具有9.5 mm爬電距離，並且相對漏電起痕指數(CTI)為600，可確保實現更大的工作電壓裕量和更高的系統可靠性
碳化矽(SiC) MOSFET閘極驅動器IC可提供最大峰值輸出閘極電流且無需外部升壓階段，經過設定後可支持不同的閘極驅動電壓，來滿足市售SiC MOSFET的需求
AEC-Q100認證汽車應用SCALE-iDriver IC可在125°C結溫下提供8A驅動，並且可在不使用升壓階段的情況下支持輸出功率在數百千瓦以內的600V、650V、750V和1200V IGBT和SiC逆變器設計

Power Integrations談SCALE-iDriver

Products
產品	產品規格型錄	說明	最大擊穿電壓	電源開關
SIC118xKQ 適用於汽車應用，高達 8 A 的單通道 SiC MOSFET 和 IGBT 閘極驅動器，提供了高達 1200 V 的進階主動箝位和增強型絕緣	Data Sheet View Data Sheet	Description 適用於汽車應用，高達 8 A 的單通道 SiC MOSFET 和 IGBT 閘極驅動器，提供了高達 1200 V 的進階主動箝位和增強型絕緣	Max Breakdown Voltage 750 V, 1200 V	Power Switch SiC MOSFET
SIC1182K 高達 8 A 的單通道 SiC MOSFET 閘極驅動器，提供了高達 1200 V 的進階主動箝位和增強型絕緣	Data Sheet View Data Sheet	Description 高達 8 A 的單通道 SiC MOSFET 閘極驅動器，提供了高達 1200 V 的進階主動箝位和增強型絕緣	Max Breakdown Voltage 600 V, 1200 V	Power Switch SiC MOSFET
SID11xxKQ 適用於汽車應用的高達 8 A 的單通道 IGBT/MOSFET 閘極驅動器，可提供高達 1200 V 阻隔電壓的增強型電流絕緣	Data Sheet View Data Sheet	Description 適用於汽車應用的高達 8 A 的單通道 IGBT/MOSFET 閘極驅動器，可提供高達 1200 V 阻隔電壓的增強型電流絕緣	Max Breakdown Voltage 600 V, 1200 V	Power Switch IGBT, MOSFET
SID11x1K 高達8 A的單通道IGBT/MOSFET閘極驅動器，可提供高達650 V閉鎖電壓的增強型電流絕緣	Data Sheet View Data Sheet	Description 高達8 A的單通道IGBT/MOSFET閘極驅動器，可提供高達650 V閉鎖電壓的增強型電流絕緣	Max Breakdown Voltage 650 V, 1200 V	Power Switch IGBT, MOSFET
SID1102K 高達 5 A 的單通道 IGBT/MOSFET 閘極驅動器，可提供高達 1200 V 閉鎖電壓的增強型電流絕緣	Data Sheet View Data Sheet	Description 高達 5 A 的單通道 IGBT/MOSFET 閘極驅動器，可提供高達 1200 V 閉鎖電壓的增強型電流絕緣	Max Breakdown Voltage 600 V, 1200 V	Power Switch IGBT, MOSFET
SID11x2K 高達 8 A 的單通道 IGBT/MOSFET 閘極驅動器，提供增強電化絕緣	Data Sheet View Data Sheet	Description 高達 8 A 的單通道 IGBT/MOSFET 閘極驅動器，提供增強電化絕緣	Max Breakdown Voltage 600 V, 1200 V	Power Switch IGBT, MOSFET

產品

產品規格型錄

說明

最大擊穿電壓

電源開關

SIC118xKQ

適用於汽車應用，高達 8 A 的單通道 SiC MOSFET 和 IGBT 閘極驅動器，提供了高達 1200 V 的進階主動箝位和增強型絕緣

Data Sheet

Description

適用於汽車應用，高達 8 A 的單通道 SiC MOSFET 和 IGBT 閘極驅動器，提供了高達 1200 V 的進階主動箝位和增強型絕緣

Max Breakdown Voltage 750 V, 1200 V

Power Switch SiC MOSFET

SIC1182K

高達 8 A 的單通道 SiC MOSFET 閘極驅動器，提供了高達 1200 V 的進階主動箝位和增強型絕緣

Data Sheet

Description

高達 8 A 的單通道 SiC MOSFET 閘極驅動器，提供了高達 1200 V 的進階主動箝位和增強型絕緣

Max Breakdown Voltage 600 V, 1200 V

Power Switch SiC MOSFET

SID11xxKQ

適用於汽車應用的高達 8 A 的單通道 IGBT/MOSFET 閘極驅動器，可提供高達 1200 V 阻隔電壓的增強型電流絕緣

Data Sheet

Description

適用於汽車應用的高達 8 A 的單通道 IGBT/MOSFET 閘極驅動器，可提供高達 1200 V 阻隔電壓的增強型電流絕緣

Max Breakdown Voltage 600 V, 1200 V

Power Switch IGBT, MOSFET

SID11x1K

高達8 A的單通道IGBT/MOSFET閘極驅動器，可提供高達650 V閉鎖電壓的增強型電流絕緣

Data Sheet

Description

高達8 A的單通道IGBT/MOSFET閘極驅動器，可提供高達650 V閉鎖電壓的增強型電流絕緣

Max Breakdown Voltage 650 V, 1200 V

Power Switch IGBT, MOSFET

SID1102K

高達 5 A 的單通道 IGBT/MOSFET 閘極驅動器，可提供高達 1200 V 閉鎖電壓的增強型電流絕緣

Data Sheet

Description

高達 5 A 的單通道 IGBT/MOSFET 閘極驅動器，可提供高達 1200 V 閉鎖電壓的增強型電流絕緣

Max Breakdown Voltage 600 V, 1200 V

Power Switch IGBT, MOSFET

SID11x2K

高達 8 A 的單通道 IGBT/MOSFET 閘極驅動器，提供增強電化絕緣

Data Sheet

Description

高達 8 A 的單通道 IGBT/MOSFET 閘極驅動器，提供增強電化絕緣

Max Breakdown Voltage 600 V, 1200 V

Power Switch IGBT, MOSFET