SIC118xKQ
汽车级单通道SiC MOSFET和IGBT门极驱动器,可提供高级有源钳位和加强绝缘
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
Description
汽车级单通道SiC MOSFET和IGBT门极驱动器,可提供高级有源钳位和加强绝缘
|
Max Breakdown Voltage
750 V, 1200 V
|
Power Switch
SiC MOSFET
|
SIC1182K
最大8A的单通道SiC MOSFET门极驱动器,可提供高级有源钳位和1200V加强绝缘
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
Description
最大8A的单通道SiC MOSFET门极驱动器,可提供高级有源钳位和1200V加强绝缘
|
Max Breakdown Voltage
600 V, 1200 V
|
Power Switch
SiC MOSFET
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
Description
汽车专用可提供加强绝缘的单通道IGBT/MOSFET门极驱动器
|
Max Breakdown Voltage
600 V, 1200 V
|
Power Switch
IGBT, MOSFET
|
SID11x1K
单通道IGBT/MOSFET门极驱动器,可提供耐压650 V的加强绝缘
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
Description
单通道IGBT/MOSFET门极驱动器,可提供耐压650 V的加强绝缘
|
Max Breakdown Voltage
650 V, 1200 V
|
Power Switch
IGBT, MOSFET
|
SID1102K
最大5A的单通道IGBT/MOSFET门极驱动器,可为耐压1200V的IGBT和MOSFET提供加强绝缘
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
Description
最大5A的单通道IGBT/MOSFET门极驱动器,可为耐压1200V的IGBT和MOSFET提供加强绝缘
|
Max Breakdown Voltage
600 V, 1200 V
|
Power Switch
IGBT, MOSFET
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
Description
具有先进的安全和保护功能的电气绝缘的单通道门极驱动器IC
|
Max Breakdown Voltage
600 V, 1200 V
|
Power Switch
IGBT, MOSFET
|