설명
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2SP0215F2Q0C Family Data Sheet |
Description
ASIL-certified plug-and-play dual-channel gate driver boards for Infineon™ EconoDUAL™ 17-mm IGBT power modules up to 1200 V |
2SP0230T2x0 Data Sheet |
Description
Gate Driver for Driving 62mm SiC-MOSFET and Si-IGBT modules up to 1700 V via Electrical Interface |
InnoSwitch3-AQ Data Sheet |
Description
CV/CC Valley Switching DCM/CCM Flyback Switcher IC with Integrated 750 V, 900 V and 1700 V Switch and FluxLink Feedback for Automotive Applications. |
LinkSwitch-TN2Q Data Sheet |
Description
Highly Energy Efficient Switcher IC with Integrated System Level Protection for Low Component-Count Power Supplies |
LQ10N200CQ Data Sheet |
Description
LQ10N200CQ Q-Series Diode Data Sheet |
LQ20N200CQ Data Sheet |
Description
200 V, 20 A Common-Cathode Diode for Audio Automotive Applications |
QH12TZ600Q Data Sheet |
Description
600 V, 12 A H-Series SiC Replacement Diode for Automotive Use |
SIC118xKQ 데이터 시트 |
Description
향상된 액티브 클램핑 및 최대 1200V의 강화 절연을 제 공하는 자동차 애플리케이션용 최대 8A 단일 채널 SiC MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 |
SID1181KQ 제품군 |
Description
최대 8A 단일 채널 600 V / 650 V / 750 V IGBT/MOSFET 강화된 갈바닉 절연 성능을 제공하는 자동차 애플리케이션용 게이트 드라이버 |
SID11x2KQ 제품군 |
Description
최대 1200V 블로킹 전압의 강화된 갈바닉 절연 성능을 갖춘 자동차 애플리케이션용 최대 8A의 단일 채널 IGBT/MOSFET 게이트 드라이버 |